Lei Gao studierte Physik an der Southeast University in China. Im Jahr 2022 trat sie als Gastwissenschaftlerin der Gruppe von Prof. Dr. Mischa Bonn und Dr. Hai Wang am Max-Planck-Institut für Polymerforschung bei. Sie promovierte 2025 an der Southeast University, wo sie sich in ihrer Forschung auf die Untersuchung von Niedrigenergieanregungen in Halbleitermaterialien – darunter einlagige Übergangsmetall-Dichalkogenide (TMDs) und Perowskite – mittels Terahertz-Spektroskopie konzentrierte. Nach Abschluss ihrer Promotion setzte sie ihre Forschung als Postdoktorandin in der Abteilung von Prof. Mischa Bonn fort und wurde später im selben Jahr zur Gruppenleiterin in der Abteilung für Molekülspektroskopie am MPIP ernannt.

Forschungsinteressen

Die Forschung ihrer Gruppe konzentriert sich auf die Erzeugung und den Transport von Ladungsträgern nach optischer Anregung in niedrigdimensionalen optoelektronischen Materialien wie Graphen, TMDs und einwandigen Kohlenstoffnanoröhren (SWCNTs). Diese Prozesse bestimmen maßgeblich die Effizienz der Energieumwandlung in optoelektronischen Bauelementen und reagieren sehr empfindlich auf ihre Umgebung. Die aktuellen Forschungsschwerpunkte umfassen:

Optoelektronische Umwandlung in niedrigdimensionalen Materialien

Durch die systematische Untersuchung photoangeregter Prozesse und die Erfassung der damit verbundenen Ladungsträgerdynamik mittels THz-Spektroskopie will die Gruppe Strategien zur Steuerung des Ladungstransports und der Rekombinationswege entwickeln, um letztlich die Konstruktion hocheffizienter optoelektronischer Bauelemente zu ermöglichen. Gleichzeitig werden In-situ-THz-Auslesetechniken eingesetzt, um die Ladungsträgerdynamik unter realen Betriebsbedingungen direkt zu überwachen und abzubilden und so Echtzeit-Einblicke in Ladungstransportphänomene zu gewinnen.

Grenzflächenkontrolle der Ladungsdynamik durch Fest-Flüssig-Kopplung

Ziel ist es, aufzudecken, wie die Grenzflächenkopplung die Ladungsdynamik steuert, und ein tieferes Verständnis der Fest-Flüssig-Wechselwirkungen zu erlangen, indem die entsprechenden optoelektronischen Reaktionen in Festkörpern untersucht werden.

Neueste Publikationen

1.
Ling, Z.; Wang, S.; Sarkar, A.; Li, C.; Gao, L.; Zhao, R.; Breiby, D. W.; Seferos, D. S.; Sargent, E. H.; Wang, H. I. et al.; Bonn, M.; Andrienko, D.; Blom, P. W. M.; Pisula, W.; Marszalek, T.: Crystalline Dion-Jacobson 2D Layered Sn-Based Perovskites for Field-Effect Transistors. Journal of the American Chemical Society 148 (12), S. 12764 - 12774 (2026)
2.
Zhao, R.; Yu, H.; Zhang, H.; Gao, L.; Khan, A. H.; Liu, C.; Li, X.; Chu, X.; Fu, Y.; Pohl, D. et al.; Wrzesińska-Lashkova, A.; Brunner, E.; Vaynzof, Y.; Wang, H. I.; Bonn, M.; Heine, T.; Wang, M.; Feng, X.: Diketopyrrolopyrrole-based two-dimensional poly(arylene vinylene)s with high charge carrier mobility. Nature Communications 17 (1), 1348 (2026)
3.
Ghouse, S.; Guo, Z.; Gámez-Valenzuela, S.; Mücke, D.; Zhang, B.; Gao, L.; Paasch, S.; Fu, Y.; Huang, C.; Naisa, C. et al.; Brunner, E.; Bonn, M.; Ruiz Delgado, M. C.; Sun, J.; Zou, R.; Kaiser, U.; Wang, M.; Feng, X.: Towards single-crystalline two-dimensional poly(arylene vinylene) covalent organic frameworks. Nature Chemistry (2026)
4.
Zhou, T.; Wan, D.; Zhang, Y.; Gao, L.; Wang, S.; Fu, Q.; Ma, X.; Cai, C.; Zhao, W.; Zhang, Q. et al.; Hu, Z.; Lu, J.; Ni, Z.: Origin of B‐Type Blinking at 2D/3D Heterojunction Interfaces. Advanced Materials 38 (7), e10833 (2026)
5.
Zhuravlova, A.; Li, M.; Alharbi, O.; Jeong, Y.; Han, B.; Gao, L.; Bonn, M.; Lanza, M.; Yang, S.; Ricciardulli, A. G. et al.; Samorì, P.: Laser‐Assisted Phase Engineering of 2D MoS2for Efficient Solution‐Processed Electronics. Advanced Materials (2026)
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