Dr. Hai Wang

Hai Wang studierte Materialwissenschaften an der Zhejiang University und erwarb 2009 seinen Abschluss. Zwischen 2009 und 2011 absolvierte er ein gemeinsames Masterprogramm in Nanowissenschaften an der Universität Leuven (2009-2010) in Belgien und der Delft University of Technology in den Niederlanden (2010-2011), unterstützt durch ein Erasmus Mundus-Stipendium. Ab 2012 begann Hai Wang seine Promotion am MPI-P in Mainz mit Unterstützung eines Stipendiums von MAINZ (Graduate School of Excellence, Materials Science in Mainz). In seiner Doktorarbeit arbeitete Hai Wang mit Enrique Cánovas und Mischa Bonn an der Erforschung ultraschneller Ladungstransferprozesse an Quantenpunkt- und Oxidgrenzflächen und schloss im Februar 2016 mit Summa Cum Laude ab. Danach verbrachte er ca. 1,5 Jahre in der Gruppe von Mathias Kläui an der Universität Mainz als Postdoc, wo er sich auf die Untersuchung der ultraschnellen Ladungsträgerdynamik in Graphen- und Graphen-Nanobändern konzentrierte. Am 1. August 2017 startete Hai Wang seine Gruppe "Nano-optoelektronische Materialien" im Arbeitskreis für Molekulare Spektroskopie am MPI-P.

Forschungsinteressen

Die Forschungsinteressen der Gruppe liegen in der optischen und elektronischen Charakterisierung niederdimensionaler optoelektronischer Materialien und deren Integration in optoelektronische Bauelemente. Zu den untersuchten Materialsystemen  gehören unter anderem: zweidimensionale (2D) monolagige Halbmetalle (z.B. Graphen) und Halbleiter, 1D Graphen-Nanobänder und 0D halbleitende kolloidale Quantenpunkte und deren hybridisierte Strukturen und Grenzflächen. Mit Hilfe von Ultrakurzzeitspektroskopie (THz-Spektroskopie, transiente Absorptionsspektroskopie usw.) will die Gruppe grundlegende Prozesse von Photoladungsträgern in optoelektronischen Materialien und an deren Grenzflächen, z.B. Ladungserzeugung, Ladungsträgerabkühlung, Exzitonenbildung, Ladungstrennung und Ladungstransport im Nanobereich verstehen. Schließlich wollen sie diese ultraschnelle Ladungsträgerdynamik mit der Energieumwandlungseffizienz in den Bauteilen, die diese Materialien verwenden, korrelieren.

Publikationen

1.
Wang, H. I.; Infante, I.; ten Brinck, S.; Canovas, E.; Bonn, M.: Efficient Hot Electron Transfer in Quantum Dot-Sensitized Mesoporous Oxides at Room Temperature. Nano Letters 18 (8), S. 5111 - 5115 (2018)
2.
Tomadin, A.; Hornett, S. M.; Wang, H. I.; Alexeev, E. M.; Candini, A.; Coletti, C.; Turchinovich, D.; Kläui, M.; Bonn, M.; Koppens, F. H. L. et al.; Hendry, E.; Polini, M.; Tielrooij, K. J.: The ultrafast dynamics and conductivity of photoexcited graphene at different Fermi energies. Science Advances 4 (5), eaar5313 (2018)
3.
Wang, H. I.; Lu, H.; Nagata, Y.; Bonn, M.; Canovas, E.: Dipolar Molecular Capping in Quantum Dot-Sensitized Oxides: Fermi Level Pinning Precludes Tuning Donor-Acceptor Energetics. ACS Nano 11 (5), S. 4760 - 4767 (2017)
4.
Wang, H.; Barcelo, I.; Lana-Vilarreal, T.; Gomez, R.; Bonn, M.; Canovas, E.: Interplay Between Structure, Stoichiometry, and Electron Transfer Dynamics in SILAR-based Quantum Dot-Sensitized Oxides. Nano Letters 14 (10), S. 5780 - 5786 (2014)
5.
Wang, H.; McNellis, E. R.; Kinge, S.; Bonn, M.; Canovas, E.: Tuning Electron Transfer Rates through Molecular Bridges in Quantum Dot Sensitized Oxides. Nano Letters 13 (11), S. 5311 - 5315 (2013)
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