Dr. Ronald Ulbricht

Ronald Ulbricht erhielt sein Diplom in Physik an der TU Dresden und begann anschließend sein Promotionsstudium am FOM-Institut AMOLF in Amsterdam. Dort promovierte er 2012 mit seiner Arbeit zur THz-Spektroskopie an Halbleitern. Anschließend trat er eine Reihe von Postdoc-Stellen an: als JSPS-Stipendiat an der Hokkaido University, wo er sich mit Pikosekunden-Fotoakustik beschäftigte, als Rubicon-Stipendiat an der University of Colorado in Boulder, wo er mit optischer Nahfeld-Rastersondenmikroskopie arbeitete, und als DFG-Stipendiat an der Nanyang Technological University in Singapur, wo er die transiente optische Dynamik von Stickstoff-Fehlzentren in Diamanten untersuchte. Seit 2019 leitet er die Gruppe Ultrafast Microscopy am MPI-P.

Forschungsinteressen

Die Ultrakurzzeitmikroskopie-Gruppe entwickelt und verwendet verschiedene zeitaufgelöste spektroskopische Mikroskopieverfahren, darunter eine transiente Absorptionsmethode, die in der Lage ist, die optische Dynamik im sichtbaren bis infraroten Spektralbereich auf Zeitskalen von Femtosekunden bis Sekunden zu erfassen. Eine Hauptanwendung dieser Methode ist die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften und der Dynamik von Farbzentren in Diamant und Siliziumkarbid. Die Ergebnisse werden durch zeitaufgelöste Photolumineszenz, THz-Spektroskopie und Photostrommessungen ergänzt. Nichtlineare optische Methoden, wie die stimulierte Raman-Streuung und die Summenfrequenzerzeugung, werden in einer Mikroskopiemodalität implementiert, um die Schwingungseigenschaften von nanoskaligen Materialien wie Nanodiamanten zu untersuchen.

Neueste Publikationen

1.
Bates, K. M.; Day, M. W.; Smallwood, C. L.; Owen, R. C.; Schröder, T.; Bielejec, E.; Ulbricht, R.; Cundiff, S. T.: Using silicon-vacancy centers in diamond to probe the full strain tensor. Journal of Applied Physics 130 (2), 024301 (2021)
2.
Smallwood, C. L.; Ulbricht, R.; Day, M. W.; Schröder, T.; Bates, K. M.; Autry, T. M.; Diederich, G.; Bielejec, E.; Siemens, M. E.; Cundiff, S. T.: Hidden Silicon-Vacancy Centers in Diamond. Physical Review Letters 126 (21), 213601 (2021)
3.
Ulbricht, R.; Pijpers, J. J. H.; Groeneveld, E.; Koole, R.; Donega, C. D.; Vanmaekelbergh, D.; Delerue, C.; Allan, G.; Bonn, M.: Loosening Quantum Confinement: Observation of Real Conductivity Caused by Hole Polarons in Semiconductor Nanocrystals Smaller than the Bohr Radius. Nano Letters 12 (9), S. 4937 - 4942 (2012)
4.
Bates, K.M.; Day, M.W.; Smallwood, C.L.; Ulbricht, R.; Autry, T.M.; Owen, R.C.; Diederich, G.; Schroder, T.; Bielejec, E.; Siemens, M.E. et al.; Cundiff, S.T.: Measuring the Diamond Strain Tensor with Silicon-Vacancy Centers. In: 2020 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO, Bd. 2020, 9192157. CLEO 2020 : 2020 Conference on Lasers and Electro-Optics, San Jose, United States, 10. Mai 2020 - 15. Mai 2020. IEEE, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. (2020)
Zur Redakteursansicht